Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
75 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de conditionnement
TO247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
23 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
595 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.2mm
Longueur
15.8mm
Charge de Grille type @ Vgs
222 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
22.74mm
Pays d'origine
China
€ 6 472,46
€ 14,383 Each (In a Tube of 450) (hors TVA)
450
€ 6 472,46
€ 14,383 Each (In a Tube of 450) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
450
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
75 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de conditionnement
TO247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
23 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
595 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.2mm
Longueur
15.8mm
Charge de Grille type @ Vgs
222 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
22.74mm
Pays d'origine
China


