MOSFET onsemi canal N, TO-264 100 A 500 V, 3 broches

N° de stock RS: 759-9128PMarque: onsemiN° de pièce Mfr: FDL100N50F
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

100 A

Tension Drain Source maximum

500 V

Type de conditionnement

TO-264

Série

UniFET

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

55 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

2.5 kW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

20mm

Charge de Grille type @ Vgs

238 nC @ 10 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Taille

20mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET est la famille de transistors MOSFET haute tension de Fairchild Semiconductor. Elle possède la plus petite résistance à l'état passant parmi les transistors MOSFET planaires, et offre également d'excellentes performances de commutation et une plus grande résistance à l'énergie d'avalanche. En outre, la diode PESD source de matrice interne permet au transistor MOSFET UniFET-II™ de résister à des surtensions Modèle du corps humain de plus de 2 000 V.
Les transistors MOSFET UniFET™ sont adaptés aux applications de convertisseurs d'alimentation à découpage, telles que la correction de facteur de puissance, l'alimentation de téléviseurs à écrans plats, les alimentations ATX (Advanced Technology eXtended) et les ballasts de lampes électroniques.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

€ 114,31

€ 11,43 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal N, TO-264 100 A 500 V, 3 broches
Sélectionner le type d'emballage

€ 114,31

€ 11,43 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal N, TO-264 100 A 500 V, 3 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Sélectionner le type d'emballage

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

100 A

Tension Drain Source maximum

500 V

Type de conditionnement

TO-264

Série

UniFET

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

55 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

2.5 kW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

20mm

Charge de Grille type @ Vgs

238 nC @ 10 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Taille

20mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET est la famille de transistors MOSFET haute tension de Fairchild Semiconductor. Elle possède la plus petite résistance à l'état passant parmi les transistors MOSFET planaires, et offre également d'excellentes performances de commutation et une plus grande résistance à l'énergie d'avalanche. En outre, la diode PESD source de matrice interne permet au transistor MOSFET UniFET-II™ de résister à des surtensions Modèle du corps humain de plus de 2 000 V.
Les transistors MOSFET UniFET™ sont adaptés aux applications de convertisseurs d'alimentation à découpage, telles que la correction de facteur de puissance, l'alimentation de téléviseurs à écrans plats, les alimentations ATX (Advanced Technology eXtended) et les ballasts de lampes électroniques.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus