Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
PowerTrench
Type de boîtier
MicroFET 2 x 2
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
19 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,4 W, 900 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 5,57
€ 0,557 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 5,57
€ 0,557 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,557 | € 5,57 |
| 50 - 90 | € 0,541 | € 5,41 |
| 100 - 240 | € 0,526 | € 5,26 |
| 250 - 490 | € 0,513 | € 5,13 |
| 500+ | € 0,502 | € 5,02 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
PowerTrench
Type de boîtier
MicroFET 2 x 2
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
19 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,4 W, 900 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.


