IGBT, FGAF40S65AQ, , 80 A, 650 V, TO-3PF, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiCourant continu de Collecteur maximum
80 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
650 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
94 W
Nombre de transistors
1
Type de conditionnement
TO-3PF
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.7 x 5.7 x 24.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Capacité de grille
2590pF
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Indice énergétique
325mJ
Pays d'origine
Korea, Republic Of
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€ 332,95
€ 0,925 Each (In a Tube of 360) (hors TVA)
360
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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Single
Dimensions
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Température de fonctionnement minimum
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