IGBT, FGH40N60SFDTU, , 80 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiCourant continu de Collecteur maximum
80 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
290 W
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.6 x 4.7 x 20.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 76,20
€ 2,54 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 2,54 | € 76,20 |
| 60 - 120 | € 2,464 | € 73,92 |
| 150 - 270 | € 2,388 | € 71,63 |
| 300+ | € 2,286 | € 68,56 |
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Type de montage
Through Hole
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N
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3
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Single
Dimensions
15.6 x 4.7 x 20.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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