IGBT, FGH40N60SMDF, , 80 A, 600 V, TO-247AB, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiCourant continu de Collecteur maximum
80 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
349 W
Type de boîtier
TO-247AB
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.6 x 4.7 x 20.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 52,12
€ 5,21 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 5,21 |
| 100 - 499 | € 4,51 |
| 500 - 999 | € 3,96 |
| 1000+ | € 3,61 |
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Type de montage
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N
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3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.6 x 4.7 x 20.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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