Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-17 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-250 V
Type de boîtier
TO-3P
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
130 W
Gain en courant DC minimum
80
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-250 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
30 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
15.6 x 4.8 x 19.9mm
Détails du produit
Transistors de puissance PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-17 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-250 V
Type de boîtier
TO-3P
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
130 W
Gain en courant DC minimum
80
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-250 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
30 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
15.6 x 4.8 x 19.9mm
Détails du produit
Transistors de puissance PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.


