Transistor commuté par émetteur, FJP2160DTU, NPN 2 A 2.21V A-220, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
2 A
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Gain en courant DC minimum
20
Maximum Base Current
1A
Nombre de broche
3
Catégorie
Silicon Transistor
Hauteur
15.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Dimensions
9.9 x 4.5 x 15.95mm
Longueur
9.9mm
Détails du produit
Transistor de puissance ESBC™, Fairchild Semiconductor
Transistors de puissance NPN bipolaires conçus pour une utilisation dans les configurations ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) avec les circuits MOSFET d'alimentation appropriés. Cette configuration des contacts d'alimentation offre une efficacité, une flexibilité et une robustesse accrues ainsi qu'une puissance d'entraînement réduite grâce à l'absence de condensateur Miller dans la conception.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Gain en courant DC minimum
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3
Catégorie
Silicon Transistor
Hauteur
15.95mm
Température de fonctionnement minimum
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Dimensions
9.9 x 4.5 x 15.95mm
Longueur
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Transistor de puissance ESBC™, Fairchild Semiconductor
Transistors de puissance NPN bipolaires conçus pour une utilisation dans les configurations ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) avec les circuits MOSFET d'alimentation appropriés. Cette configuration des contacts d'alimentation offre une efficacité, une flexibilité et une robustesse accrues ainsi qu'une puissance d'entraînement réduite grâce à l'absence de condensateur Miller dans la conception.
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