Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
4 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-400 V
Type de boîtier
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
75000 mW
Gain en courant DC minimum
19, 26
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
700 V
Tension Emetteur Base maximum
9 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Détails du produit
Transistors haute tension NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 5,44
€ 1,088 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 5,44
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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NPN
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4 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-400 V
Type de boîtier
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
75000 mW
Gain en courant DC minimum
19, 26
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
700 V
Tension Emetteur Base maximum
9 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Détails du produit
Transistors haute tension NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.