MOSFET onsemi canal N, TO-220AB 56 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
56 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB
Série
UltraFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
25 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 20
Largeur
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.4mm
Détails du produit
Transistor MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
Le transistor MOSFET à tranchée UItraFET® regroupe des caractéristiques offrant une efficacité dans les tests d'applications de conversion de puissance. Le circuit est capable de résister aux pics de tension en mode avalanche, et la diode présente un temps de recouvrement inverse et une charge emmagasinée faibles. Optimisé pour efficacité à hautes fréquences, RDS(on) les plus faibles, ESR faible, et faible charge de grille totale et Miller.
Les applications de convertisseurs c.c./c.c. à haute fréquence, de régulateurs à découpage, de commandes de moteur, de commutateurs de bus basse tension et de gestion d'alimentation.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 23,53
€ 2,35 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Série
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Type de montage
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3
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2V
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200000 mW
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
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Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 20
Largeur
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.4mm
Détails du produit
Transistor MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
Le transistor MOSFET à tranchée UItraFET® regroupe des caractéristiques offrant une efficacité dans les tests d'applications de conversion de puissance. Le circuit est capable de résister aux pics de tension en mode avalanche, et la diode présente un temps de recouvrement inverse et une charge emmagasinée faibles. Optimisé pour efficacité à hautes fréquences, RDS(on) les plus faibles, ESR faible, et faible charge de grille totale et Miller.
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