IGBT, ISL9V2040D3ST, , 10 A, 450 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiCourant continu de Collecteur maximum
10 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
450 V
Tension Grille Emetteur maximum
±14V
Dissipation de puissance maximum
130 W
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 21,08
€ 2,108 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 21,08
€ 2,108 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 10 - 95 | € 2,108 | € 10,54 |
| 100 - 245 | € 2,06 | € 10,30 |
| 250 - 495 | € 2,003 | € 10,01 |
| 500+ | € 1,962 | € 9,81 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiCourant continu de Collecteur maximum
10 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
450 V
Tension Grille Emetteur maximum
±14V
Dissipation de puissance maximum
130 W
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.