IGBT d'allumage AEC-Q101 onsemiCanal-Type N, 21 A, 430 V 1 MHz, 3 broches, TO-252 Surface
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
Ignition IGBT
Courant continu de Collecteur maximum lc
21A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
430V
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Type de Boitier
TO-252
Type de support
Surface
Typ kanálu
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±10 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.2V
Température minimum de fonctionnement
80°C
Maximální provozní teplota
85°C
Normes/homologations
RoHS
Série
EcoSPARK
Energie
300mJ
Automobilový standard
Non
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 94,14
€ 1,883 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 94,14
€ 1,883 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,883 | € 9,41 |
| 100 - 495 | € 1,633 | € 8,17 |
| 500 - 995 | € 1,435 | € 7,17 |
| 1000+ | € 1,308 | € 6,54 |
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TO-252
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Surface
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Type N
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3
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1MHz
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±10 V
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Température minimum de fonctionnement
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Non
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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