Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
min. 5mA
Tension Grille Source maximum
-35 V
Tension Drain Grille maximum
35V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
50 Ω
Type de fixation
Through Hole
Type de boîtier
TO-92
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
28pF
Capacitance Source Grille ON
28pF
Dimensions
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Taille
5.33mm
Largeur
4.19mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5.2mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 139,79
€ 0,14 Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
1000
€ 139,79
€ 0,14 Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Sac |
|---|---|---|
| 1000 - 2000 | € 0,14 | € 139,79 |
| 3000+ | € 0,117 | € 117,06 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
min. 5mA
Tension Grille Source maximum
-35 V
Tension Drain Grille maximum
35V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
50 Ω
Type de fixation
Through Hole
Type de boîtier
TO-92
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
28pF
Capacitance Source Grille ON
28pF
Dimensions
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Taille
5.33mm
Largeur
4.19mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5.2mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


