Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-3 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-30 V
Type de boîtier
TO-126
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
10000 mW
Gain en courant DC minimum
160
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-40 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
80 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
8 x 3.25 x 11mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors petits signaux PNP, jusqu'à 30 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 27,88
€ 0,465 Each (In a Tube of 60) (hors TVA)
60
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-3 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
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TO-126
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
10000 mW
Gain en courant DC minimum
160
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-40 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
80 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
8 x 3.25 x 11mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors petits signaux PNP, jusqu'à 30 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.