Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
7 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
40 W
Gain en courant DC minimum
120
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
150 V
Tension Emetteur Base maximum
7 V
Nombre de broches
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors NPN de puissance, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 62,53
€ 1,251 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 62,53
€ 1,251 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,251 | € 62,53 |
100 - 450 | € 0,992 | € 49,62 |
500 - 950 | € 0,842 | € 42,08 |
1000+ | € 0,714 | € 35,71 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
7 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
40 W
Gain en courant DC minimum
120
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
150 V
Tension Emetteur Base maximum
7 V
Nombre de broches
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors NPN de puissance, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.