Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
3 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
800 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
50 W
Gain en courant DC minimum
20
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
1100 V
Tension Emetteur Base maximum
7 V
Fréquence de fonctionnement maximum
1 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors haute tension NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 14,51
€ 1,451 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 14,51
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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NPN
Courant continu de Collecteur maximum
3 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
800 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
50 W
Gain en courant DC minimum
20
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
1100 V
Tension Emetteur Base maximum
7 V
Fréquence de fonctionnement maximum
1 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors haute tension NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.


