Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de pont
Monophasé
Courant direct moyen
500mA
Tension inverse de crête répétitive
400V
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOIC W
Nombre de broche
4
Format
Single
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
35A
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de crête
1V
Courant inverse crête
500µA
Dimensions
4.95 x 4.2 x 2.7mm
Longueur
4.95mm
Largeur
4.2mm
Taille
2.7mm
Détails du produit
On Semiconductor MB1S-MB8S
Approvals
UL, E258596
Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
50
Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
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onsemiType de pont
Monophasé
Courant direct moyen
500mA
Tension inverse de crête répétitive
400V
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOIC W
Nombre de broche
4
Format
Single
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
35A
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de crête
1V
Courant inverse crête
500µA
Dimensions
4.95 x 4.2 x 2.7mm
Longueur
4.95mm
Largeur
4.2mm
Taille
2.7mm
Détails du produit
On Semiconductor MB1S-MB8S
Approvals
UL, E258596