Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de pont
Single Phase
Courant direct moyen
500mA
Tension inverse de crête répétitive
800V
Type de fixation
CMS
Type de boîtier
SOIC W
Nombre de broches
4
Format
Single
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
35A
Température maximum de fonctionnement
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de crête
1V
Courant inverse crête
500µA
Longueur
4.95mm
Dimensions
4.95 x 4.2 x 2.7mm
Hauteur
2.7mm
Largeur
4.2mm
Détails du produit
On Semiconductor MB1S-MB8S
Approvals
UL, E258596
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
500
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de pont
Single Phase
Courant direct moyen
500mA
Tension inverse de crête répétitive
800V
Type de fixation
CMS
Type de boîtier
SOIC W
Nombre de broches
4
Format
Single
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
35A
Température maximum de fonctionnement
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de crête
1V
Courant inverse crête
500µA
Longueur
4.95mm
Dimensions
4.95 x 4.2 x 2.7mm
Hauteur
2.7mm
Largeur
4.2mm
Détails du produit
On Semiconductor MB1S-MB8S
Approvals
UL, E258596


