Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
DO-201AD
Courant continu direct maximum If
3A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
60V
Configuration de diode
Single
Série
MBR360
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
20mA
Température minimum d'utilisation
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
80A
Tension directe maximale Vf
1.08V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
5.3mm
Longueur
9.5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky d on Semiconductor
Ce redresseur on Semiconductor Schottky utilise le principe de barrière Schottky à l'aide d'une barrière métallique pour créer le meilleur échange de courant inverse de chute de tension directe. Adapté pour une rectification basse tension et haute fréquence, ainsi qu'une diode de protection contre la roue libre et la polarité dans une large gamme d'applications à montage en surface où une taille et un poids plus compacts sont essentiels.
Sans plomb
Conçu pour l'assemblage de carte automatisé optimal
Protection contre les contraintes
Boîtier moulé en époxy
Boîtier léger 11,7 mg
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 19,29
€ 0,386 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 19,29
€ 0,386 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 0,386 | € 1,93 |
| 100 - 495 | € 0,335 | € 1,68 |
| 500 - 995 | € 0,293 | € 1,47 |
| 1000+ | € 0,268 | € 1,34 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
DO-201AD
Courant continu direct maximum If
3A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
60V
Configuration de diode
Single
Série
MBR360
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
20mA
Température minimum d'utilisation
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
80A
Tension directe maximale Vf
1.08V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
5.3mm
Longueur
9.5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky d on Semiconductor
Ce redresseur on Semiconductor Schottky utilise le principe de barrière Schottky à l'aide d'une barrière métallique pour créer le meilleur échange de courant inverse de chute de tension directe. Adapté pour une rectification basse tension et haute fréquence, ainsi qu'une diode de protection contre la roue libre et la polarité dans une large gamme d'applications à montage en surface où une taille et un poids plus compacts sont essentiels.
Sans plomb
Conçu pour l'assemblage de carte automatisé optimal
Protection contre les contraintes
Boîtier moulé en époxy
Boîtier léger 11,7 mg
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.


