Diode MBRD1035CTLT4G Surface onsemi, 10 A Commutation, 35 V, TO-252 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
TO-252
Courant continu direct maximum If
10A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
35V
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Switching
Nombre de broches
3
Tension directe maximale Vf
550mV
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
10A
Courant inverse crête Ir
30mA
Température de fonctionnement maximum
150°C
Hauteur
2.38mm
Normes/homologations
No
Largeur
6.73 mm
Longueur
6.22mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, 10 à 25 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or SBR-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 5,00
€ 0,50 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 5,00
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Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,50 | € 5,00 |
| 100 - 240 | € 0,374 | € 3,74 |
| 250 - 490 | € 0,37 | € 3,70 |
| 500 - 990 | € 0,315 | € 3,15 |
| 1000+ | € 0,259 | € 2,59 |
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35V
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Switching
Nombre de broches
3
Tension directe maximale Vf
550mV
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
10A
Courant inverse crête Ir
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Température de fonctionnement maximum
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Hauteur
2.38mm
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No
Largeur
6.73 mm
Longueur
6.22mm
Standard automobile
AEC-Q101
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