Diode MBRD650CTT4G Surface onsemi, 6 A Diode Schottky, 50 V, TO-252 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
Surface
Type de produit
Diode
Type de Boitier
TO-252
Courant continu direct maximum If
6A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
50V
Configuration de diode
Common Cathode
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
3
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
75A
Courant inverse crête Ir
100μA
Tension directe maximale Vf
0.9V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Température de fonctionnement maximale
175°C
Normes/homologations
RoHS
Largeur
6.22 mm
Longueur
6.73mm
Hauteur
2.38mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Diodes barrières Schottky d on Semiconductor
Ce redresseur on Semiconductor Schottky utilise le principe de barrière Schottky à l'aide d'une barrière métallique pour créer le meilleur échange de courant inverse de chute de tension directe. Adapté pour une rectification basse tension et haute fréquence, ainsi qu'une diode de protection contre la roue libre et la polarité dans une large gamme d'applications à montage en surface où une taille et un poids plus compacts sont essentiels.
• Sans plomb
• Conçu pour l'assemblage de carte automatisé optimal
Protection contre les contraintes
Boîtier moulé en époxy
Boîtier léger 11,7 mg
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 5,96
€ 1,192 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 5,96
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,192 | € 5,96 |
| 10 - 95 | € 0,981 | € 4,90 |
| 100 - 495 | € 0,683 | € 3,41 |
| 500 - 995 | € 0,596 | € 2,98 |
| 1000+ | € 0,509 | € 2,54 |
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TO-252
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6A
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Diode Schottky
Nombre de broches
3
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
75A
Courant inverse crête Ir
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Tension directe maximale Vf
0.9V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Température de fonctionnement maximale
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Largeur
6.22 mm
Longueur
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Hauteur
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Diodes barrières Schottky d on Semiconductor
Ce redresseur on Semiconductor Schottky utilise le principe de barrière Schottky à l'aide d'une barrière métallique pour créer le meilleur échange de courant inverse de chute de tension directe. Adapté pour une rectification basse tension et haute fréquence, ainsi qu'une diode de protection contre la roue libre et la polarité dans une large gamme d'applications à montage en surface où une taille et un poids plus compacts sont essentiels.
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