Diode CMS onsemi, 6A, 60V, DPAK (TO-252)
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
CMS
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Maximální stejnosměrný propustný proud
6A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
60V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
Switching
Typ diody
Silicon Junction
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
850mV
Počet prvků na čip
2
Diodová technologie
Silicon Junction
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
75A
Détails du produit
Diodes barrières Schottky d on Semiconductor
Ce redresseur on Semiconductor Schottky utilise le principe de barrière Schottky à l'aide d'une barrière métallique pour créer le meilleur échange de courant inverse de chute de tension directe. Adapté pour une rectification basse tension et haute fréquence, ainsi qu'une diode de protection contre la roue libre et la polarité dans une large gamme d'applications à montage en surface où une taille et un poids plus compacts sont essentiels.
• Sans plomb
• Conçu pour l'assemblage de carte automatisé optimal
Protection contre les contraintes
Boîtier moulé en époxy
Boîtier léger 11,7 mg
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
10
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Switching
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Silicon Junction
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3
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Silicon Junction
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Ce redresseur on Semiconductor Schottky utilise le principe de barrière Schottky à l'aide d'une barrière métallique pour créer le meilleur échange de courant inverse de chute de tension directe. Adapté pour une rectification basse tension et haute fréquence, ainsi qu'une diode de protection contre la roue libre et la polarité dans une large gamme d'applications à montage en surface où une taille et un poids plus compacts sont essentiels.
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