Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN + PNP
Courant continu de Collecteur maximum
200 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
40 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
0,15 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Collecteur Base maximum
60 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
2.2 x 1.35 x 1mm
Détails du produit
Transistors bipolaires RF, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
100
Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN + PNP
Courant continu de Collecteur maximum
200 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
40 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
0,15 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Collecteur Base maximum
60 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
2.2 x 1.35 x 1mm
Détails du produit
Transistors bipolaires RF, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.


