Amplificateur opérationnel onsemi, montage CMS, alim. Simple, Double, SOIC 2 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
CMS
Type de boîtier
SOIC W
Type d'alimentation
Simple, Double
Nombre de canaux par circuit
2
Nombre de broche
8
Tension d'alimentation asymétrique typique
→3 36 V
Produit gain bande typique
24MHz
Tension d'alimentation symétrique typique
±1.5 → ±18V
Slew Rate typique
10V/µs
Fréquence de fonctionnement maximum
100 kHz
Température d'utilisation maximum
85 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Rail à rail
No
Gain en tension typique
100 dB
Densité tension/bruit d'entrée typique
18nV/√Hz
Dimensions
5 x 4 x 1.5mm
Largeur
4mm
Hauteur
1.5mm
Longueur
5mm
Détails du produit
Ampli-ops MC33272A/74A, NCV33272A/74A, haute vitesse de balayage, faible tension d'offset d'entrée, ON Semiconductor
Les ampli-ops doubles et quadruples ON Semiconductor MC33272A/74A, NCV33272A/74A intègrent des entrées bipolaires, ainsi qu'un élément Zip-R-Trim breveté pour la réduction de la tension d'offset d'entrée. Ils sont dotés d'une faible tension d'offset d'entrée et d'un produit gain bande élevé.
La compensation de fréquence à doublet double est utilisée pour augmenter la vitesse de balayage tout en conservant des caractéristiques de faible bruit d'entrée.
Leur niveau de sortie NPN intégral ne présente aucune distorsion de croisement de bande morte, mais offre une grande variation de tension de sortie et d'une excellente marge de phase et de gain. Il offre également une faible impédance de sortie à boucle ouverte haute fréquence avec source symétrique et performances en fréquence c.a. de dissipateur.
Tension d'offset d'entrée ajustée à 100 μV (typique)
Faible courant de polarisation d'entrée : 300 nA
Faible courant offset d'entrée : 3 nA
Résistance d'entrée élevée : 16 MΩ
Faible bruit : 18 nV/(racine carrée Hz) @ 1 kHz
Produit gain bande élevé : 24 MHz @ 100 kHz
Vitesse de balayage élevée : 10 V/μs
Operational Amplifiers, ON Semiconductor
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€ 19,09
€ 0,955 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
€ 19,09
€ 0,955 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
20
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 20 - 198 | € 0,955 | € 1,91 |
| 200 - 998 | € 0,83 | € 1,66 |
| 1000+ | € 0,727 | € 1,46 |
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CMS
Type de boîtier
SOIC W
Type d'alimentation
Simple, Double
Nombre de canaux par circuit
2
Nombre de broche
8
Tension d'alimentation asymétrique typique
→3 36 V
Produit gain bande typique
24MHz
Tension d'alimentation symétrique typique
±1.5 → ±18V
Slew Rate typique
10V/µs
Fréquence de fonctionnement maximum
100 kHz
Température d'utilisation maximum
85 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Rail à rail
No
Gain en tension typique
100 dB
Densité tension/bruit d'entrée typique
18nV/√Hz
Dimensions
5 x 4 x 1.5mm
Largeur
4mm
Hauteur
1.5mm
Longueur
5mm
Détails du produit
Ampli-ops MC33272A/74A, NCV33272A/74A, haute vitesse de balayage, faible tension d'offset d'entrée, ON Semiconductor
Les ampli-ops doubles et quadruples ON Semiconductor MC33272A/74A, NCV33272A/74A intègrent des entrées bipolaires, ainsi qu'un élément Zip-R-Trim breveté pour la réduction de la tension d'offset d'entrée. Ils sont dotés d'une faible tension d'offset d'entrée et d'un produit gain bande élevé.
La compensation de fréquence à doublet double est utilisée pour augmenter la vitesse de balayage tout en conservant des caractéristiques de faible bruit d'entrée.
Leur niveau de sortie NPN intégral ne présente aucune distorsion de croisement de bande morte, mais offre une grande variation de tension de sortie et d'une excellente marge de phase et de gain. Il offre également une faible impédance de sortie à boucle ouverte haute fréquence avec source symétrique et performances en fréquence c.a. de dissipateur.
Tension d'offset d'entrée ajustée à 100 μV (typique)
Faible courant de polarisation d'entrée : 300 nA
Faible courant offset d'entrée : 3 nA
Résistance d'entrée élevée : 16 MΩ
Faible bruit : 18 nV/(racine carrée Hz) @ 1 kHz
Produit gain bande élevé : 24 MHz @ 100 kHz
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