Transistor Darlington, NPN, 2 A, 100 V, IPAK (TO-251), Traversant, 3 broches

N° de stock RS: 790-5315Marque: onsemiN° de pièce Mfr: MJD112-1G
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de transistor

NPN

Courant continu de Collecteur maximum

2 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

100 V

Tension Emetteur Base maximum

5 V

Type de boîtier

IPAK (TO-251)

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Configuration du transistor

Single

Nombre d'éléments par circuit

1

Gain en courant DC minimum

1000

Tension de saturation Base Emetteur maximum

4 V

Tension Collecteur Base maximum

100 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

3 V

Courant de coupure Collecteur maximum

20µA

Dimensions

6.73 x 2.38 x 6.35mm

Dissipation de puissance maximum

20 W

Température de fonctionnement minimum

-65 °C

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

6.73mm

Hauteur

6.35mm

Largeur

2.38mm

Détails du produit

Transistors Darlington NPN, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

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5 V

Type de boîtier

IPAK (TO-251)

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Configuration du transistor

Single

Nombre d'éléments par circuit

1

Gain en courant DC minimum

1000

Tension de saturation Base Emetteur maximum

4 V

Tension Collecteur Base maximum

100 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

3 V

Courant de coupure Collecteur maximum

20µA

Dimensions

6.73 x 2.38 x 6.35mm

Dissipation de puissance maximum

20 W

Température de fonctionnement minimum

-65 °C

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

6.73mm

Hauteur

6.35mm

Largeur

2.38mm

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