Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Nombre d'éléments par circuit
1
Tension Collecteur Base maximum
100 V
Dissipation de puissance maximum
1,56 W
Dimensions
2.38 x 6.73 x 6.22mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors de puissance NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
20
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Nombre d'éléments par circuit
1
Tension Collecteur Base maximum
100 V
Dissipation de puissance maximum
1,56 W
Dimensions
2.38 x 6.73 x 6.22mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors de puissance NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.


