Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
min. 8mA
Tension Drain Source maximum
0.2 V
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
80 Ω
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.92mm
Hauteur
0.93mm
Largeur
1.3mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 16,02
€ 0,32 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 16,02
€ 0,32 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,32 | € 16,02 |
| 100 - 950 | € 0,151 | € 7,56 |
| 1000 - 2950 | € 0,117 | € 5,85 |
| 3000 - 8950 | € 0,10 | € 5,00 |
| 9000+ | € 0,099 | € 4,94 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
min. 8mA
Tension Drain Source maximum
0.2 V
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
80 Ω
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.92mm
Hauteur
0.93mm
Largeur
1.3mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


