JFET, MMBF4391LT1G, Canal-N, 30 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
50 to 150mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Tension Grille Source maximum
+30 V
Tension Drain Grille maximum
30V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
30 Ω.
Type de fixation
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Taille
0.94mm
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 231,85
€ 0,077 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Type de boîtier
SOT-23, TO-236
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Taille
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Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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