JFET, MMBF4391LT1G, Canal-N, 30 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
50 to 150mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Tension Grille Source maximum
+30 V
Tension Drain Grille maximum
30V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
30 Ω.
Type de fixation
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Taille
0.94mm
Largeur
1.3mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 1,98
€ 0,396 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,396 | € 1,98 |
| 50 - 95 | € 0,341 | € 1,70 |
| 100 - 495 | € 0,295 | € 1,48 |
| 500 - 995 | € 0,259 | € 1,30 |
| 1000+ | € 0,236 | € 1,18 |
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N
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Tension Grille Source maximum
+30 V
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30V
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Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
30 Ω.
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CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Taille
0.94mm
Largeur
1.3mm
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