JFET, MMBF4393LT1G, Canal-N, 30 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
5 to 30mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Tension Grille Source maximum
+30 V
Tension Drain Grille maximum
30V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
100 Ω
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
14pF
Capacitance Source Grille ON
14pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Taille
1.01mm
Largeur
1.4mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 23,20
€ 0,20 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,20 | € 10,00 |
| 1000+ | € 0,173 | € 8,67 |
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Single
Format
Single
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100 Ω
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CMS
Type de conditionnement
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Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
14pF
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14pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Longueur
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Taille
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Largeur
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