Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 40mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de fixation
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Taille
1.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
2.9mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 265,94
€ 0,089 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 265,94
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
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onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 40mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de fixation
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Taille
1.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
2.9mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


