Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
JFET
Sous type
Spínač-N-kanál
Typ kanálu
Type N
Tension Drain Source maximum Vds
20V
Format
Single
Typ montáže
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Nombre de broche
3
Courant de source du drain Ids
10 to 40 mA
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
2.9mm
Höhe
1.04mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 13,34
€ 0,267 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 13,34
€ 0,267 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,267 | € 13,34 |
| 500 - 950 | € 0,23 | € 11,49 |
| 1000+ | € 0,199 | € 9,93 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
JFET
Sous type
Spínač-N-kanál
Typ kanálu
Type N
Tension Drain Source maximum Vds
20V
Format
Single
Typ montáže
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Nombre de broche
3
Courant de source du drain Ids
10 to 40 mA
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
2.9mm
Höhe
1.04mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


