Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
JFET
Sous type
Commutateur canal N
Typ kanálu
Type N
Maximální napětí na zdroji Vds
15V
Format
Single
Typ montáže
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Nombre de broche
3
Courant de source du drain Ids
20 mA
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Résistance Drain Source maximum Rds
30Ω
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
2.9mm
Höhe
1.04mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 125,33
€ 0,251 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 125,33
€ 0,251 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
500
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,251 | € 12,53 |
| 1000+ | € 0,217 | € 10,86 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
JFET
Sous type
Commutateur canal N
Typ kanálu
Type N
Maximální napětí na zdroji Vds
15V
Format
Single
Typ montáže
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Nombre de broche
3
Courant de source du drain Ids
20 mA
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Résistance Drain Source maximum Rds
30Ω
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
2.9mm
Höhe
1.04mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


