Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
JFET
Sous type
Commutateur canal N
Type de canal
Type N
Format
Single
Type de montage
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Résistance Drain Source maximum Rds
50Ω
Nombre de broche
3
Courant de source du drain Ids
5 mA
Température minimum d'utilisation
-55°C
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
2.92mm
Hauteur
0.93mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 266,83
€ 0,089 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 266,83
€ 0,089 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
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Brand
onsemiType du produit
JFET
Sous type
Commutateur canal N
Type de canal
Type N
Format
Single
Type de montage
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Résistance Drain Source maximum Rds
50Ω
Nombre de broche
3
Courant de source du drain Ids
5 mA
Température minimum d'utilisation
-55°C
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
2.92mm
Hauteur
0.93mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


