Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
JFET
Sous type
Commutateur canal N
Typ kanálu
Type N
Format
Single
Typ montáže
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Résistance Drain Source maximum Rds
50Ω
Nombre de broche
3
Courant de source du drain Ids
5 mA
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
2.92mm
Höhe
0.93mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 18,48
€ 0,185 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 18,48
€ 0,185 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,185 | € 4,62 |
| 250 - 475 | € 0,161 | € 4,01 |
| 500 - 975 | € 0,141 | € 3,52 |
| 1000+ | € 0,128 | € 3,20 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
JFET
Sous type
Commutateur canal N
Typ kanálu
Type N
Format
Single
Typ montáže
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Résistance Drain Source maximum Rds
50Ω
Nombre de broche
3
Courant de source du drain Ids
5 mA
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
2.92mm
Höhe
0.93mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


