Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
min. 2mA
Tension Grille Source maximum
-35 V
Tension Drain Grille maximum
35V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
100 Ω
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
28pF
Capacitance Source Grille ON
28pF
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.92mm
Hauteur
0.93mm
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 211,39
€ 0,07 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 211,39
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
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onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
min. 2mA
Tension Grille Source maximum
-35 V
Tension Drain Grille maximum
35V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
100 Ω
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
28pF
Capacitance Source Grille ON
28pF
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.92mm
Hauteur
0.93mm
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


