Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
JFET
Sous type
Commutateur canal N
Type de canal
Type N
Format
Single
Type de support
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Tension maximale de source de la grille Vgs
-35 V
Résistance Drain Source maximum Rds
100Ω
Nombre de broches
3
Courant de source du drain Ids
2 mA
Température d'utilisation minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
2.92mm
Largeur
1.3 mm
Taille
0.93mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 214,07
€ 0,071 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 214,07
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3000
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onsemiType du produit
JFET
Sous type
Commutateur canal N
Type de canal
Type N
Format
Single
Type de support
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Tension maximale de source de la grille Vgs
-35 V
Résistance Drain Source maximum Rds
100Ω
Nombre de broches
3
Courant de source du drain Ids
2 mA
Température d'utilisation minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
2.92mm
Largeur
1.3 mm
Taille
0.93mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


