Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiSous type
Commutateur canal N
Type de canal
Type N
Type de produit
JFET
Format
Single
Type de montage
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Tension maximale de source de la grille Vgs
-35 V
Résistance Drain Source maximum Rds
100Ω
Nombre de broches
3
Courant de source du drain Ids
2 mA
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
No
Longueur
2.92mm
Largeur
1.3 mm
Hauteur
0.93mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 212,11
€ 0,071 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 212,11
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
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Brand
onsemiSous type
Commutateur canal N
Type de canal
Type N
Type de produit
JFET
Format
Single
Type de montage
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Tension maximale de source de la grille Vgs
-35 V
Résistance Drain Source maximum Rds
100Ω
Nombre de broches
3
Courant de source du drain Ids
2 mA
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
No
Longueur
2.92mm
Largeur
1.3 mm
Hauteur
0.93mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


