JFET, MMBFJ175LT1G, Canal-P, 15 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Idss Drain-source Courant de coupure
-7 to -60mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-25V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
125 Ω
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
11pF
Capacitance Source Grille ON
11pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Hauteur
1.01mm
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 272,76
€ 0,091 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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11pF
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Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
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Longueur
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Hauteur
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Largeur
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