Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
0.3 to 1.5mA
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Longueur
2.92mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Taille
0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 6,79
€ 0,272 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
€ 6,79
€ 0,272 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,272 | € 6,79 |
100 - 225 | € 0,234 | € 5,85 |
250 - 475 | € 0,203 | € 5,07 |
500 - 975 | € 0,178 | € 4,45 |
1000+ | € 0,162 | € 4,06 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
0.3 to 1.5mA
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Longueur
2.92mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Taille
0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.