Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
0.3 to 1.5mA
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Longueur
2.92mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Taille
0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 19,36
€ 0,194 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 19,36
€ 0,194 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,194 | € 4,84 |
| 250 - 475 | € 0,167 | € 4,18 |
| 500 - 975 | € 0,147 | € 3,66 |
| 1000+ | € 0,134 | € 3,35 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
0.3 to 1.5mA
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Longueur
2.92mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Taille
0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


