Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
0.3 to 1.5mA
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Longueur
2.92mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Taille
0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 24,01
€ 0,24 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 24,01
€ 0,24 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,24 | € 6,00 |
250 - 475 | € 0,208 | € 5,20 |
500 - 975 | € 0,183 | € 4,58 |
1000+ | € 0,166 | € 4,16 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
0.3 to 1.5mA
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Longueur
2.92mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Taille
0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.