Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Idss Drain-source Courant de coupure
-2 to -15mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Grille Source maximum
+30 V
Tension Drain Grille maximum
-30V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Hauteur
1.04mm
Largeur
1.3mm
Détails du produit
Transistor JFET canal P, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 144,34
€ 0,289 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 144,34
€ 0,289 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,289 | € 14,43 |
| 1000+ | € 0,25 | € 12,50 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Idss Drain-source Courant de coupure
-2 to -15mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Grille Source maximum
+30 V
Tension Drain Grille maximum
-30V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Hauteur
1.04mm
Largeur
1.3mm
Détails du produit
Transistor JFET canal P, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


