Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
12 to 30mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Source Grille ON
5pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Taille
1.01mm
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 263,99
€ 0,088 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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N
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12 to 30mA
Tension Drain Source maximum
25 V
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Single
Configuration du transistor
Single
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Source Grille ON
5pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Taille
1.01mm
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.