Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
12 to 30mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Source Grille ON
5pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Largeur
1.4mm
Hauteur
1.01mm
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 1,23
€ 0,123 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 1,23
€ 0,123 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,123 | € 1,23 |
| 100 - 240 | € 0,052 | € 0,52 |
| 250 - 490 | € 0,051 | € 0,51 |
| 500 - 990 | € 0,049 | € 0,49 |
| 1000+ | € 0,048 | € 0,48 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
12 to 30mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Source Grille ON
5pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Largeur
1.4mm
Hauteur
1.01mm
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


