Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
12 to 30mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Source Grille ON
5pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Largeur
1.4mm
Taille
1.01mm
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 5,32
€ 0,053 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 5,32
€ 0,053 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
100 - 240 | € 0,053 | € 0,53 |
250 - 490 | € 0,052 | € 0,52 |
500 - 990 | € 0,05 | € 0,50 |
1000+ | € 0,049 | € 0,49 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
12 to 30mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Source Grille ON
5pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Largeur
1.4mm
Taille
1.01mm
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.