Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
24 to 60mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Grille Source maximum
+25 V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Taille
0.94mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 7,22
€ 0,144 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 7,22
€ 0,144 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 0,144 | € 0,72 |
| 100 - 495 | € 0,126 | € 0,63 |
| 500 - 995 | € 0,11 | € 0,55 |
| 1000+ | € 0,101 | € 0,50 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
24 to 60mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Grille Source maximum
+25 V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Taille
0.94mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


