Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
24 to 60mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Source Grille ON
5pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Hauteur
1.01mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 20,53
€ 0,205 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 20,53
€ 0,205 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
100 - 240 | € 0,205 | € 2,05 |
250 - 490 | € 0,178 | € 1,78 |
500 - 990 | € 0,156 | € 1,56 |
1000+ | € 0,142 | € 1,42 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
24 to 60mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Source Grille ON
5pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Hauteur
1.01mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.