Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
600 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
60 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
60 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
200 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
0.94 x 2.9 x 1.3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6 V

Prix sur demande
Standard
1
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Standard
1
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PNP
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600 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
60 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
60 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
200 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
0.94 x 2.9 x 1.3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6 V
