Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
50 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
15 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
225 mW
Gain en courant DC minimum
20
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
30 V dc
Tension Emetteur Base maximum
3 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires RF, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
€ 4,66
€ 0,047 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 4,66
€ 0,047 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
50 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
15 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
225 mW
Gain en courant DC minimum
20
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
30 V dc
Tension Emetteur Base maximum
3 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires RF, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.


