Transistor Darlington, NPN, 800 mA, 80 V, SOT-23, CMS, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
800 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
12 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Nombre d'éléments par circuit
1
Gain en courant DC minimum
10000
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.5 V
Courant de coupure Collecteur maximum
100nA
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
2.51mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Dimensions
2.51 x 1.4 x 1.02mm
Largeur
1.4mm
Taille
1.02mm
Détails du produit
Transistors NPN Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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€ 11,88
€ 0,238 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,238 | € 11,88 |
| 500 - 950 | € 0,205 | € 10,23 |
| 1000+ | € 0,177 | € 8,86 |
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80 V
Tension Emetteur Base maximum
12 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Nombre d'éléments par circuit
1
Gain en courant DC minimum
10000
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.5 V
Courant de coupure Collecteur maximum
100nA
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
2.51mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Dimensions
2.51 x 1.4 x 1.02mm
Largeur
1.4mm
Taille
1.02mm
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