Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Cathode commune
Nombre d'éléments par circuit
2
Type de montage
Through Hole
Type de boîtier
TO-220
Technologie de diode
Silicon Junction
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
975mV
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.28mm
Largeur
4.82mm
Hauteur
15.75mm
Dimensions
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Détails du produit
Diodes de redressement, 10 à 30 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Cathode commune
Nombre d'éléments par circuit
2
Type de montage
Through Hole
Type de boîtier
TO-220
Technologie de diode
Silicon Junction
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
975mV
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.28mm
Largeur
4.82mm
Hauteur
15.75mm
Dimensions
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Détails du produit
Diodes de redressement, 10 à 30 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.


